GD32单片机和STM32单片机的区别

GD32是国产单片机，据说开发人员来自ST公司，GD32也是以STM32作为模板做出来的。所以GD32和STM32有很多地方都是一样的，不过GD32毕竟是不同的产品，不可能所有东西都沿用STM32，有些自主开发的东西还是有区别的。不同的地方如下：

1、内核

GD32采用二代的M3内核，STM32主要采用一代M3内核。

2、主频

使用HSE(高速外部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M

使用HSI(高速内部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大64M

主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，GD是一个不错的选择。

3、供电

外部供电：GD32外部供电范围是2.6~3.6V，STM32外部供电范围是2.0~3.6V或1.65~3.6V。GD的供电范围比STM32相对要窄一点。

内核电压：GD32内核电压是1.2V，STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。

4、Flash差异

GD32的Flash是自主研发的，和STM32的不一样。

GDFlash执行速度：GD32Flash中程序执行为0等待周期。

STM32Flash执行速度：ST系统频率不访问flash等待时间关系：0等待周期，当0<SYSCLK<24MHz，1等待周期，当24MHz<SYSCLK≤48MHz，2等待周期，当48MHz<SYSCLK≤72MHz。

Flash擦除时间：GD擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的：GD32F103/101系列Flash128KB及以下的型号，PageErase典型值100ms，实际测量60ms左右。对应的ST产品PageErase典型值20~40ms。

5、功耗

GD的产品在相同主频情况下，GD的运行功耗比STM32小，但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。

6、串口

GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle，而STM32没有。

GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。

GD和STM32USART的这两个差异对通信基本没有影响，只是GD的通信时间会加长一点。

7、ADC差异

GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异，相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下，ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系：

8、FSMC

STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。