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GD32单片机和STM32单片机的区别

GD32国产单片机,据说开发人员来自ST公司,GD32也是以STM32作为模板做出来的。所以GD32STM32有很多地方都是一样的,不过GD32毕竟是不同的产品,不可能所有东西都沿用STM32,有些自主开发的东西还是有区别的。不同的地方如下:

1、内核

GD32采用二代的M3内核,STM32主要采用一代M3内核。

2、主频

使用HSE(高速外部时钟)GD32的主频最大108MSTM32的主频最大72M

使用HSI(高速内部时钟)GD32的主频最大108MSTM32的主频最大64M

主频大意味着单片机代码运行的速度会更快,项目中如果需要进行刷屏,开方运算,电机控制等操作,GD是一个不错的选择。

3、供电

外部供电:GD32外部供电范围是2.6~3.6VSTM32外部供电范围是2.0~3.6V1.65~3.6VGD的供电范围比STM32相对要窄一点。

内核电压:GD32内核电压是1.2VSTM32内核电压是1.8VGD的内核电压比STM32的内核电压要低,所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。

4Flash差异

GD32Flash是自主研发的,和STM32的不一样。

GDFlash执行速度:GD32Flash中程序执行为0等待周期。

STM32Flash执行速度:ST系统频率不访问flash等待时间关系:0等待周期,当0<SYSCLK<24MHz1等待周期,当24MHz<SYSCLK48MHz2等待周期,当48MHz<SYSCLK72MHz

Flash擦除时间:GD擦除的时间要久一点,官方给出的数据是这样的:GD32F103/101系列Flash128KB及以下的型号,PageErase典型值100ms,实际测量60ms左右。对应的ST产品PageErase典型值20~40ms

5、功耗

GD的产品在相同主频情况下,GD的运行功耗比STM32小,但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。

6、串口

GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个BitIdle,而STM32没有

GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM320.5/1/1.5/2四种停止位模式。

GDSTM32USART的这两个差异对通信基本没有影响,只是GD的通信时间会加长一点

7ADC差异

GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异,相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下,ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系:

8FSMC

STM32只有100Pin以上的大容量(256K及以上)才有FSMCGD32所有的100Pin100Pin以上的都有FSMC